- 非IC关键词
企业档案
- 相关证件: 
- 会员类型:普通会员
- 地址:深圳市福田区振兴西路华匀大厦1栋720室 (深圳客户均可通知仓库送货.只做原装正品,期待与您长期合作)
- 传真:0755-84162919
- E-mail:huwen2006@163.com
产品分类
您的当前位置:深圳伟一新业科技有限公司 > 元器件产品
产品信息
类别分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单制造商ON Semiconductor系列PowerTrench®包装 剪切带(CT) 零件状态在售FET 类型P 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)8.8A(Ta)驱动电压( Rds On, Rds On)4.5V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)20 毫欧 @ 8.8A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)40nC @ 10VVgs(值)±25V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)1845pF @ 15VFET 功能-功率耗散(值)2.5W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装8-SOIC封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)